В типовой схеме в цепи присутствует катушка на 3.3uH. Через неё будет течь тот же ток, что и через атом. КПД снижается примерно на Uк/Usw (усреднённые) где Uк - падение напряжения на катушке, Usw - напр. на выходе SW. Падение напряжения на катушке зависит от толщины провода. Чем толще провод, тем меньше падение, тем выше КПД. Также оно зависит от типа сердечника. Для наименьших потерь нужен тороидальный сердечник. Например, если взять тороид из компьютерного БП - КПД снизится всего на 5-7% Если взять катушку поменьше - КПД снизится ещё больше и эта катушка будет греться.
Надеюсь вы представляете как засунуть тороид с толстым проводом в 901 трубку, потому что я х.з. как это сделать.
В моей схеме (если она работает) вся мощность выделяется только на мосфете PMOS (Rmax = 0.12 Ом) внутри ST1S10 (и чуток на NMOS (Rmax = 0.1 Ом) за счёт индуктивности) и на атоме (R=1.5 - 5 Ом). В схеме из datasheet мощность будет выделяться ещё и на L1.
Это одно и тоже, просто паять удобнееЯ бы на Вашей схемке R1 так включил.
